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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5776 个

  • MOS管 KNX4810A 9A/100V规格书-原厂制造 免费送样-KIA MOS管

    MOS管 KNX4810A 9A/100V主参数：型号：KNX4810A工作方式：9A/100V漏源击穿电压：100V栅源电压:±20V二极管连续正向电流：9A最大功耗：45W单脉冲雪崩电力:20.25MJ漏源击穿电压:100V栅源正向泄漏：±100nA总栅电荷：14nC二极管正向最大电流：10A

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    www.kiaic.com/article/detail/1542.html         2019-03-27

  • 60V 80V 低压MOS管选型表-低压MOS管原厂 性价比高 质量好-KIA MOS管

    60V 80V 低压MOS管选型、封装在文中都有展现，MOS管导通电阻小，可以降低导通时的功耗。但无论什么元件器件，追求某项指标必会影响其它指标。以MOS管来说，高耐压与低电阻是矛盾的，不可兼得，所以不能说导通电阻越小越好，因为这是牺牲其它性能获得的。但是一...

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    www.kiaic.com/article/detail/1540.html         2019-03-27

  • 低压MOS管 KNX2708A 160A/80V中文资料-低内阻 雪崩冲击小-KIA MOS管

    低压MOS管 KNX2708A 160A/80V主要参数详情：型号：KNX2708A工作方式：160A/80V漏源电压：80V栅源电压:±20V连续漏电流：160A连续漏电流TC=100ºC：116A单脉冲雪崩能量:1100MJ峰值二极管恢复dv/dt：5.0V/ns功耗:313W漏源击穿电压:80V

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    www.kiaic.com/article/detail/1539.html         2019-03-26

  • 60V低压MOS管厂家 KIA3706 50A/60V PDF下载/价格/封装-KIA MOS管

    60V低压MOS管 KIA3706 50A/60V主要参数：型号：KIA3706工作方式：50A/60V漏源极电压：60V栅源电压：±20V脉冲漏电流：100A单脉冲雪崩能：72.2MJ雪崩电流：38A接头和储存温度范围：-55℃至150℃

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    www.kiaic.com/article/detail/1538.html         2019-03-26

  • MOS管 KNX6650A 15A/500V中文资料-MOS管专业制造商-KIA MOS管

    MOS管 KNX6650A 15A/500V主要参数：型号：KNX6650A主要参数：15A/500V漏源极电压：500V栅极到源极电压：±30V连续漏电电流：15A单脉冲雪崩能量：1000MJ二极管峰值恢复：5.0V/ns漏源击穿电压：500V漏源漏电流：100μA输入电容：2148pF反向恢复时间：520ns

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    www.kiaic.com/article/detail/1536.html         2019-03-25

  • KIA品牌 MOS管原厂 KNX6165A 10A/650V规格书/封装-KIA MOS管

    MOS管 KNX6165A 10A/650V产品简介：KNX6165A通道增强型硅栅功率MOSFET是为高压设计的。高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源，开关电源等。基于半桥拓扑的功率因数校正电子灯镇流器。

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    www.kiaic.com/article/detail/1535.html         2019-03-25

  • 茂南 互联网体育教学课例-KIA MOS管

    互联网 体育，通风的具体效果很受天气状况的制约。除了风力太小导致通风效果不好之外，如果碰上一些恶劣天气而无法开窗通风了，更是无法排放掉室内甲醛，那甲醛会再次积累危害人们身体。所以我们不能只靠通风排放甲醛。成都乐动信息技术有限公司（咕咚）副总裁...

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    www.kiaic.com/article/detail/1533.html         2019-03-22

  • MOS管 KNX9130A替代IRFB4137 40A/300V规格书 内阻低-KIA MOS管

    KIA半导体产品MOS管KNX9130A替代IRFB4137，KNX9130A相比IRFB4137,KIA半导体场效应管有着雪崩冲击低、低内阻等技术优势。下文将会有KNX9130A和IRFB4137两个产品详细参数、封装、规格书。KIA半导体也一直执行全面质量管理体系，是将所有产品质量从芯片设计开始，...

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    www.kiaic.com/article/detail/1532.html         2019-03-22

  • 电动推杆MOS管 KNX9130A 40A/300V参数资料-原厂供应 货源稳定-KIA MOS管

    电动推杆MOS管 KNX9130A 40A/300V主要参数详情：型号：KNX9130A工作方式：40A/300V漏源极电压：250V栅极到源极电压：±20V连续漏电电流：40A单脉冲雪崩能量:1250MJ二极管峰值恢复:5.0V/ns漏源击穿电压:300V二极管正向电压:1.5V输入电容:3100pF输出电容:250...

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    www.kiaic.com/article/detail/1531.html         2019-03-22

  • 大电流同步整流原理-同步整流基本电路结构与同步整流技术详解-KIA MOS管

    大电流同步整流原理，同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC／DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系...

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    www.kiaic.com/article/detail/1530.html         2019-03-22

  • MOS管 IRFB4137 38A/300V规格书-IRFB4137封装|品牌-KIA MOS管

    MOS管 IRFB4137 38A/300V主要参数：型号：IRFB4137参数：38A/300V封装：TO-220脉冲漏电流：152A最大功耗:341W线性递减因子:2.3W/℃栅极到源极电压：±20V二极管峰值恢复:8.9V/ns漏源击穿电压:300V栅极电阻:1.3Ω

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    www.kiaic.com/article/detail/1529.html         2019-03-21

  • 高耐压场效应管选型手册-设计研发/制造/仓储物流等一体化服务链-KIA MOS管

    KIA半导体高耐压场效应管及所有产品都是执行的全面质量管理体系，是将所有产品质量从芯片设计开始，一直贯彻到客户使用的全过程质量跟踪和监控。KIA确定在这一质量控制体系下生产的产品，在相关环节的质量状态和信息都是有效受控，确保提供给客户的产品是安全可...

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    www.kiaic.com/article/detail/1528.html         2019-03-21

  • 国产快恢复二极管选型/封装/价格-KIA半导体专业研发生产定制-KIA MOS管

    文中主要讲国产快恢复二极管。快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN...

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    www.kiaic.com/article/detail/1527.html         2019-03-21

  • 高压大功率MOS管原厂制造|高压大功率MOS管选型表 封装-KIA MOS管

    高压大功率MOS管原厂介绍，深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35...

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    www.kiaic.com/article/detail/1508.html         2019-03-20

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